حقق طالب الدكتوراه السعودي سطام ربيع العتيبي، المبتعث في جامعة ديمونتفورت بالمملكة المتحدة، إنجازاً علمياً فريداً على مستوى العالم؛ حيث إنه يتمثل في استخدام جزئيات (النانو سيليكون) في ذاكرة تخزين المعلومات الإلكترونية.

ويعد المشروع الذي قدمه سطام الأول من نوعه من حيث الفكرة والنتائج على مستوى العالم؛ حيث منح عليه درجة الماجستير بتقدير امتياز من مركز أبحاث التقنيات الناشئة (تقنية النانو) من الجامعة البريطانية، ويتمثل في تصنيع ذاكرة تخزين إلكترونية باستخدام جزيئات النانو سيليكون.

وقد استغرق العمل على هذا الاختراع لأكثر من ستة أشهر في المختبرات والمعامل، ويهدف إلى تصنيع ذاكرة إلكترونية لتخزين بيانات ذات موثوقية وكفاءة عالية وقدرة أكبر على حفظ وإزالة وقراءة البيانات.